快科技资讯2023年05月25日Blog版

5月23日，日本经济产业省正式公布了《外汇法》法令修正案，将先进芯片制造所需的23个品类的半导体设备列入出口管理的管制对象。

上述修正案自今年3月31日正式披露，并接受了为期一个多月的征求意见之后终于在5月23日定稿，并将正式于7月23日实施。

此次正式公布的出口管制政策与之前公布的版本基本一致。被新增列入出口管制设备品类包括：3项清洗设备、11项薄膜沉积设备、1项热处理设备、4项光刻设备、3项蚀刻设备、1项测试设备。

此外，根据原有的出口管制条例（2023年12月6日生效），部分碳化硅、金刚石、光刻胶等相关半导体材料，高质量的12吋半导体硅片制造、EUV、GAAFET相关EDA软件、32位及以上处理器内核等相关半导体技术，以及高性能计算机及组件也都在出口管制之列。

一、受出口管制的半导体制造设备：

1、光刻相关设备

（1）一种用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备，属于光学方式的曝光装置或使用了X射线的曝光装置中的以下任一种：    a、光源波长小于193纳米（芯智讯注：目前的DUV光刻机光源波长都是193纳米）；    b、用纳米表示的光源的波长乘以0.35得到的数值除以数值孔径的值得到的数值在45纳米以下。

（芯智讯注：依照瑞利公式，光刻机分辨率为 R=kλ/NA ，即分辨率=K1 x 光源波长/数值孔径。此处，日本将K1设定为0.35，并要求分辨率低于45纳米。而ASML预计可以对华销售的浸没式光刻机NXT1980系列的分辨率为38纳米左右。也就是说，日本对于光刻机的出口限制比荷兰还要严苛，直接将浸没式光刻机全部列入了限制出口范围。）

（2）一种用于制造防尘薄膜（Pellicle）组件（仅限于为使用EUV制造集成电路的装置而特别设计的装置）的装置；

（3）一种被用于EUV抗蚀剂（光刻胶）的涂敷、成膜、加热或显影的装置；

以下为非新增项目：

（4）可实现45纳米以下线宽的压印光刻装置。（芯智讯注：除了传统的光刻机之外，目前日本还在发展纳米压印技术。具体可查看芯智讯此前文章：《不用EUV光刻机也能造5nm芯片？铠侠携手NDP与佳能力推NIL技术》）

（5）设计成能够制造掩模的设备，被应用在使用电子束、离子束或激光的设备中，属于以下任一种的设备：    a、照射面半值全宽的直径小于65纳米，且图像位置误差（平均值加上三西格玛）小于17纳米；    b、已删除；    c、掩模上的第二层重合误差（平均值加上三西格玛）小于23纳米。（6）设计成能够以直接描绘方式制造半导体元件或集成电路的设备，在使用电子束的设备中，属于以下任一种：    a、照射面直径在15纳米以下的；    b、重合误差（平均值加上三西格玛）在27纳米以下的。

2、蚀刻设备

（1）一种用于干蚀刻的装置，属于以下任一种：

   a.为各种向性干蚀刻用而设计或改造的装置，其中硅锗（SiGe）对硅的蚀刻选择性的比率为100倍以上；

   b.为各种异向性干蚀刻而设计或改造的装置，符合以下全部内容：

      具有一个以上高频脉冲输出电源的电器；

      具有一个以上切换时间小于300毫秒的高速气体切换阀；

      具有静电吸盘（仅限于具有可单独控制温度的区域为20以上的吸盘）

（2）一种为湿法刻蚀而设计的装置，其中硅锗对硅的刻蚀选择性比例为100倍以上；

（3）一种为异向性蚀刻而设计的装置，且对于电介质的材料，蚀刻深度相对于蚀刻宽度的比率超过30倍，并且该蚀刻宽度的尺寸能够形成小于100纳米的形状，符合以下全部要求的装置：

   a.具有一个以上高频脉冲输出电源的电器

   b.具有一个以上切换时间小于300毫秒高速气体切换阀

3、薄膜沉积设备

原有的限制：

属于以下任何一种情况的晶体外延生长设备：

（1）设计或改性以形成硅以外的薄膜，在75毫米或更长的长度上绝对厚度公差小于2.5%；（2）有机金属化学气相沉积反应器，其中外延生长具有以下两种或两种以上元素的化合物半导体：铝、镓、铟、砷、磷、锑或氮；（3）使用气源或固体源的分子束外延生长装置。

新增限制如下：

作为成膜装置（薄膜沉积设备），属于以下任一种的装置：

（1）设计为利用电镀形成钴（Co）膜；

（2）一种化学气相生长装置，其设计为：在通过自下而上成膜填充钴（Co）或钨（W）的工序中，填充的金属的空隙或接缝的最大尺寸为3纳米以下；

（3）一种设计成通过在单一的腔室内的多个工序形成金属接触层（膜）的装置，符合以下全部要求的装置：

   a.一边将芯片基板温度维持在超过100度且低于500度，一边使用有机金属化合物成钨膜层；

   b.具有使用氢（包括氢和氮或氨的混合物）的等离子体的工序的物质。

（4）一种半导体制造装置，其是通过多个腔室或站内多个工序成膜的装置，且在多个工序间设计为能够维持0.01帕斯卡以下的真空状态或惰性环境（以下称为特定半导体制造装置）中设计为通过下述所有工序形成膜金属接触层（符合条件的除外）：

   a.使用氢（包括氢和氮或氨的混合物）的等离子体进行表面处理，同时将晶片的基板温度维持在超过100度且低于500度。

   b.一边将芯片基板温度维持在超过40度且低于500度，一边利用使用氧或臭氧的等离子体进行表面处理的工序；

   c.一边将芯片的基板温度维持在超过100度且低于500度，一边成钨膜层的工序。

（5）特定半导体制造装置中，为通过以下所示的所有工序形成金属膜的接触层而设计的装置（适用的装置除外）：

   a.使用远程等离子体源及离子过滤器进行表面处理工序；

   b.使用有机金属化合物在铜上选择性地形成钴膜层的工序。

（6）特定功函数的金属（指用于控制晶体管阈值电压的材料，下同）的原子层沉积装置，符合以下全部内容：

  a.符合以下所有条件的：两种或多种金属源中具有一种或多种为铝前体设计的源；具有设计成在超过45度温度下工作的前体容器的容器。

  b.特定功函数金属成膜的装置，符合以下全部内容：成膜碳化钛铝；4.0电子伏特以上的功函数。

（7）特定半导体制造装置中，为通过以下所示的所有工序成膜金属的接触层而设计的装置（符合条件的装置除外）：

   a.使用有机金属化合物形成氮化钛或碳化钨层的工序，同时将芯片的基板温度维持在超过20度且低于500度；

   b.一边将芯片基板温度维持在低于500度，一边以超过0.1333Pa（帕斯卡）至13.33 Pa的压力下通过溅射法形成钴膜层的工序；

   c.一边将芯片的基板温度维持在20度以上且低于500度，在133.3Pa至13.33KPa的压力下使用有机金属化合物形成钴膜层的工序。

（8）特定半导体制造装置中，为通过以下所示的所有工序形成铜配线而设计的装置（符合条件的装置除外）：:

  a.在将芯片基板温度维持在超过20度且低于500度的同时，在133.3Pa至13.33KPa的压力下使用有机金属化合物成钴或钌膜层的工序；

  b.一边将芯片的基板温度维持在低于500度，一边在0.1333Pa至13.33Pa的压力下使用物理气相沉积法形成铜膜层的工序

（9）设计成使用有机金属化合物选择性地成膜阻挡膜或衬垫原子层沉积装置。

（10）一种原子层沉积装置（不包括符合条件的装置），其设计成在绝缘膜与绝缘膜的间隙（仅限于深度相对于宽度的比例超过5倍，且该宽度小于40纳米的装置）中填充钨或钴，以避免在绝缘膜与绝缘膜的间隙（宽度的比例超过5倍且该宽度小于40纳米的装置）中产生空隙。

（11）设计成在0.01帕斯卡以下的真空状态或惰性气体的环境中成膜金属层的装置，符合以下全部的装置：

（1）通过化学气相沉积法或周期性沉积法形成氮化钨层，同时将芯片的基板温度维持在超过20度且低于50度。

（2）在133.3Pa至53.33KPa的压力下，通过化学气相沉积法或周期性沉积法形成钨层，同时将芯片的基板温度维持在超过20度低于500度。

（12）设计成在0.01帕斯卡以下的真空状态或惰性气体的环境中成膜金属层的装置，符合以下任一种：

    a.不使用阻挡膜而选择性地生长钨

    b.不使用阻挡膜而选择性地生长钼

（13）设计成一边将芯片的基板温度维持在超过20度且低于500度，一边使用有机金属化合物成膜钌层的装置；

（14）空间原子层沉积装置（仅限于具有旋转轴芯片的支撑台的装置），属于以下任一种的装置：

    a.通过等离子体成膜原子层；

    b.具有等离子体源材料；

    c.具有用于将等离子体封闭在等离子体照射区域的等离子体屏蔽或机构的物质。

（15）通过在与设置有在40度以上65度以下的温度下成膜的装置或芯片的不同的空间中产生的自由基促进化学反应而成膜的装置，设计为形成符合以下全部的含有硅及碳的膜：

    a.介电常数低于5.3；

   b.在水平方向开口部尺寸小于70纳米的图案中，深度相对于该尺寸的比率超过5倍；

   c.图案间距小于100纳米的结构

（16）用于掩模（仅限于特别设计用于使用极端紫外制造集成电路的装置）的多层反射膜通过离子束蒸镀或物理气相沉积法成膜而设计的装置；

（17）硅（含碳）或硅锗（含碳）的外延生长装置；

    a.具有多个腔室，且在多个工序间能够维持0.01Pa以下真空状态或水和氧的分压小于0.01Pa的惰性环境

    b.作为预处理，具有一个以上为清洁芯片表面而设计的腔室；

    c.外延生长工作温度在685度以下。

（18）设计为利用等离子体成膜厚度超过100纳米且应力小于45MPa的碳硬掩模的装置；

（19）钨膜（仅限于氟原子数每立方厘米小于10的19次方的膜）被设计为通过使用等离子体的原子层沉积法或化学气相生长法成膜的装置；

（20）金属布线间间隙（仅限于宽度小于25纳米且深度超过50纳米的材料）中相对介电常数小于3.3的低介电层以不产生空隙的方式使用等离子体成膜的装置；

4、热处理设备

在0.01Pa以下的真空状态下工作的退火装置，属于以下任一种：

1、通过实施铜回流（Reflow），能够使铜布线的空隙或接缝最小化或消除；

2、通过实施钴或钨的填料金属的回流，可以使空隙或接缝最小化或消除的；

5、清洗设备

1、设计成在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残留和氧化铜膜，并且使铜的成膜更可靠的装置；

2、一种具有多个腔室或工位的装置，设计为通过干燥工艺进行除去表面氧化物的预处理，或者设计为通过干燥工艺除去表面的污染物；

3、具有在芯片表面改性后进行干燥工序的单片式湿式清洗装置。

6、检测设备

被设计成检查用于EUV曝光的光掩膜版（Mask Blanks）的检测设备、或者“带有图案的掩膜”的检测设备。

7、离子注入设备（非新增）

属于以下任何一种情况的离子注入机：

（1） 已删除；（2）注入氢、氘或氦时，光束能量为20千伏以上，光束电流为10毫安以上；（3）可以直接绘制的项目；（4）将氧气注入加热半导体材料的衬底时，光束能量为65千伏或更高，光束电流为45毫安或更高；（5）将硅注入加热到600摄氏度或更高的温度的半导体衬底中时，光束能量为20千电子伏或更高，光束电流为10毫安或更高。

8、晶圆传输设备（非新增）

 能够自动装载晶圆的多室晶圆运输中心装置，属于以下（1）和（2）：

（1） 属于前面薄膜沉积设备或离子注入设备中的任何一个的半导体制造设备，并且具有用于装卸晶圆的连接，其设计为可以连接三个或